比2nm更先进！台积电A14制程曝光

台积电A14制程技术解析：不采用High-NA EUV，性能依旧卓越

4月29日，台积电业务开发资深副总裁张晓强对外透露，台积电的A14制程将不采用High-NA EUV技术，而是继续使用原有的EUV光刻设备。这一消息引发了业界的广泛关注。

据悉，A14是台积电的下一代制程技术，其性能明显超越当前已经商用的3nm工艺和即将商用的2nm工艺。台积电相信，即便没有High-NA EUV光刻设备，A14制程依然可以实现性能、密度、良品率等目标。

A14制程技术优势显著

资料显示，与N2工艺（2nm）相比，A14在相同功耗下实现高达15%的速度提升，或在相同速度下降低高达30%的功耗，同时逻辑密度将提升20%以上。这些数据表明，A14制程技术具有显著的优势。

台积电公布的数据显示，A14制程在性能、功耗和逻辑密度方面均有显著提升。这意味着，搭载A14芯片的设备将拥有更快的运行速度、更低的功耗和更高的性能。

台积电A14制程计划及衍生版本

按照台积电的计划，A14计划于2028年投产。除了A14，台积电还规划了A14P、A14X、A14C等多种衍生版本。这些衍生版本将针对不同的应用场景进行优化，以满足不同客户的需求。

总结来说，台积电A14制程技术虽然不采用High-NA EUV技术，但依然具有卓越的性能。随着A14制程的投产，搭载A14芯片的设备将迎来更广阔的市场前景。

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